MODELADO DE LA INDENTACIÓN DE ESTRUCTURAS MICROELECTRÓNICAS EN SECCIÓN TRANSVERSAL MEDIANTE ELEMENTOS COHESIVOS

D. González  J.M. Molina-Aldareguia  I. Ocaña  M.R. Elizalde  J.M. Sánchez  J.M. Martínez-Esnaola  J. Gil-Sevillano  G. Xu, D. Pantuso, B. Sun,B. Miner, J. He, J. Maiz

Anales de la Mecánica de la Fractura, nº 23 . 2006 . Pág. 171 -176
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Resumen: La fiabilidad termo-mecánica de las estructuras microelectrónicas es de gran importancia para la industria de los circuitos integrados (IC). La técnica de indentación en sección transversal (CSN) permite evaluar la adhesión de sus intercaras. En este artículo se presenta una simulación numérica de la técnica CSN. El objetivo de la misma es mejorar la medida de las energías de adhesión de las intercaras respecto a los métodos actuales. Para ello, se ha construido un modelo de elementos finitos que reproduce las condiciones del experimento y que predice los caminos y longitudes de la grieta observados experimentalmente. El proceso de fractura ha sido introducido en la simulación por medio de un modelo de zona cohesiva (CZM), que ha sido implementado a través de un elemento finito de usuario.

LocalizaciónAlbarracín

CEIT y TECNUN. Universidad de Navarra
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