J. Molina, I. Ocaña  D. González, M.R. Elizalde  J.M. Sánchez  J.M. Martínez-Esnaola  J. Gil Sevillano  T. Scherban, D. Pantuso  B. Sun, G. Xu  B. Miner, J. He, J. Maiz

Anales de la Mecánica de la Fractura, nº 22 . 2005 . Pág. -
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Resumen: La resistencia a los esfuerzos termomecánicos de las interconexiones es fundamental para la fiabilidad de los circuitos integrados. El proceso de miniaturización y la interacción entre los elementos metálicos y el silicio producen un aumento de las tensiones de origen térmico. Esto, unido al uso de materiales de baja constante dieléctrica, habitualmente de bajas prestaciones mecánicas, hace cada vez más difícil la predicción del comportamiento del circuito durante su vida útil. En esta comunicación, se presenta una nueva técnica para la caracterización del comportamiento mecánico de las estructuras interconectadas. La técnica se llama “Indentación en sección transversal modificada” (MCSNModified Cross-Sectional Nanoindentation) y consiste en una modificación de la “Indentación en sección transversal” (CSN) para su aplicación en estructuras “pattern”. De la misma manera que en la CSN, el ensayo induce, mediante un indentador Berkovich, el agrietamiento del silicio que sirve como substrato a la estructura interconectada un indentador Berkovich. Las grietas se propagan por la estructura creciendo preferentemente a lo largo de las intercaras más débiles del sistema. La principal novedad de la técnica es el uso del FIB (Focused Ion Beam) en la preparación de muestras, mecanizando una trinchera paralela a la sección de indentación. De esta manera, se mejora el control sobre el crecimiento de la grieta y el problema puede considerarse bidimensional.

Localización: Almagro

CEIT y Tecnun (Universidad de Navarra) Intel Corporation
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